RDN120N25FU6
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RDN120N25FU6中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 160 mΩ
耗散功率 40 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
输入电容Ciss 1224pF @10VVds
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RDN120N25FU6引脚图与封装图
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