RDX060N60FU6
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RDX060N60FU6中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 40W Tc
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 950pF @25VVds
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RDX060N60FU6引脚图与封装图
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在线购买RDX060N60FU6
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RDX060N60FU6 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM | 搜索库存 |
替代型号RDX060N60FU6
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RDX060N60FU6 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FM | 当前型号 |
| 型号： TK6A60DSTA4,Q,M 品牌： 东芝 封装： TO-220SIS N-CH 600V 6A | 功能相似 | TO-220SIS N-CH 600V 6A | RDX060N60FU6和TK6A60DSTA4,Q,M的区别 |