RCD040N25TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RCD040N25TL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 1 Ω
极性 N-CH
耗散功率 20 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 410pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RCD040N25TL引脚图与封装图
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在线购买RCD040N25TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RCD040N25TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT N-CH 250V 4A | 搜索库存 |
替代型号RCD040N25TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RCD040N25TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 N-CH 250V 4A | 当前型号 | CPT N-CH 250V 4A | 当前型号 |
| 型号： RCD080N25TL 品牌： 罗姆半导体 封装： CPT N-CH 250V 8A | 类似代替 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM | RCD040N25TL和RCD080N25TL的区别 |