RFP15P05
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
RFP15P05中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -15.0 A
耗散功率 80W Tc
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 15.0 A
输入电容Ciss 1150pF @25VVds
耗散功率Max 80W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
RFP15P05引脚图与封装图
暂无图片
替代型号RFP15P05
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RFP15P05 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220-3 50V 15A | 当前型号 | MOSFET P-CH 50V 15A TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： RFP50N06 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | ON Semiconductor MegaFET 系列 Si N沟道 MOSFET RFP50N06, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 | RFP15P05和RFP50N06的区别 |
| 型号： RFP12N10L 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET RFP12N10L, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装 | RFP15P05和RFP12N10L的区别 |
| 型号： RFP70N06 品牌： 安森美 封装： TO-220-3 | 功能相似 | 增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 FET 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | RFP15P05和RFP70N06的区别 |