R5007ANJTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R5007ANJTL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5007ANJTL引脚图与封装图
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在线购买R5007ANJTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5007ANJTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | LPTS N-CH 500V 7A | 搜索库存 |
替代型号R5007ANJTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R5007ANJTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-83 N-CH 500V 7A | 当前型号 | LPTS N-CH 500V 7A | 当前型号 |
| 型号： SPB04N50C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-263 N-CH 560V 4.5A 470pF | 功能相似 | 酷MOS功率晶体管 Cool MOS Power Transistor | R5007ANJTL和SPB04N50C3的区别 |
| 型号： R5207ANDTL 品牌： 罗姆半导体 封装： N-CH 525V 7A | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM | R5007ANJTL和R5207ANDTL的区别 |