RSD150N06TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3Pin2+Tab CPT T/R

N-Channel 60V 15A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

贸泽:
MOSFET N-Channel Mosfet 100V, 10A, 4V gate drive

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 60V 15A 3-Pin2+Tab CPT T/R

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MOSFET N-CH 60V 15A CPT3

RSD150N06TL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 20 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 930pF @10VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RSD150N06TL引脚图与封装图

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