R5205CNDTL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R5205CNDTL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 1.3 Ω
极性 N-CH
耗散功率 65 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 525 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 320pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R5205CNDTL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买R5205CNDTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R5205CNDTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | CPT N-CH 525V 5A | 搜索库存 |