RUE002N05TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RUE002N05TL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 0.15 W
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
外形尺寸
封装 SOT-416-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RUE002N05TL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RUE002N05TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RUE002N05TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | EMT N-CH 50V 0.2A | 搜索库存 |
替代型号RUE002N05TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RUE002N05TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： EMT N-CH 50V 0.2A | 当前型号 | EMT N-CH 50V 0.2A | 当前型号 |
| 型号： RUM002N05T2L 品牌： 罗姆半导体 封装： VMT N-Channel 50V 0.2A | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | RUE002N05TL和RUM002N05T2L的区别 |
| 型号： RUC002N05T116 品牌： 罗姆半导体 封装： SST N-CH 50V 0.2A | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | RUE002N05TL和RUC002N05T116的区别 |
| 型号： RUU002N05T106 品牌： 罗姆半导体 封装： SC-70 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3Pin UMT T/R | RUE002N05TL和RUU002N05T106的区别 |