RRH090P03TB1
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RRH090P03TB1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 3000pF @10VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 650mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RRH090P03TB1引脚图与封装图
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