RCD075N20TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3Pin2+Tab CPT T/R

表面贴装型 N 通道 200 V 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3

贸泽:
MOSFET N-Channel Mosfet 200V, 7.5A, 10V gate drive

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 7.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 7.5A CPT3 / N-Channel 200 V 7.5A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3

RCD075N20TL中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 52 W

漏源极电压Vds 200 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 755pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RCD075N20TL引脚图与封装图

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RCD075N20TL	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	Trans MOSFET N-CH 200V 7.5A 3Pin2+Tab CPT T/R	搜索库存