RXR035N03TCL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RXR035N03TCL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 180pF @10VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-346-3
外形尺寸
封装 SOT-346-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RXR035N03TCL引脚图与封装图
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在线购买RXR035N03TCL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RXR035N03TCL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3Pin TSMT T/R | 搜索库存 |
替代型号RXR035N03TCL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RXR035N03TCL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT3 | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3Pin TSMT T/R | 当前型号 |
| 型号： UT2306G-AE3-R 品牌： 友顺 封装： | 功能相似 | MOS场效应管 UT2306G SOT-23 N沟道,30V,3.5A,65mΩ@10V | RXR035N03TCL和UT2306G-AE3-R的区别 |