RSD080N06TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD080N06TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.057 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 15 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 380pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSD080N06TL引脚图与封装图 
RSD080N06TL引脚图
RSD080N06TL封装图
RSD080N06TL封装焊盘图
在线购买RSD080N06TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSD080N06TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RSD080N06TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSD080N06TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 N-Channel | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RD3L080SNTL1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 60 V, 0.057 ohm, 10 V, 2.5 V | RSD080N06TL和RD3L080SNTL1的区别 |
| 型号： TK8S06K3L 品牌： 东芝 封装： | 功能相似 | DPAK N-CH 60V 8A | RSD080N06TL和TK8S06K3L的区别 |