RTQ020N05TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTQ020N05TR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 45 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 150pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RTQ020N05TR引脚图与封装图
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