RTQ025P02TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTQ025P02TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 580pF @10VVds
额定功率Max 1.25 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RTQ025P02TR引脚图与封装图
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在线购买RTQ025P02TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTQ025P02TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | P沟道,-12V,±4A,22mΩ@-4.5V | 搜索库存 |
替代型号RTQ025P02TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RTQ025P02TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT6 P-Channel 20V 2.5A 140mΩ | 当前型号 | P沟道,-12V,±4A,22mΩ@-4.5V | 当前型号 |
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| 型号： NTUD3170NZT5G 品牌： 安森美 封装： SOT-963 N-Channel 20V 280mA | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR NTUD3170NZT5G. 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, SOT-963 | RTQ025P02TR和NTUD3170NZT5G的区别 |
| 型号： NTGS5120PT1G 品牌： 安森美 封装： TSOP P-Channel -60V 2.9A | 功能相似 | P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | RTQ025P02TR和NTGS5120PT1G的区别 |