RSD221N06TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

CPT N-CH 60V 22A

N-Channel 60V 22A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3

得捷:
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 60V 22A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin2+Tab CPT T/R

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Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R

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MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

RSD221N06TL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 0.85 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 45 ns

输入电容Ciss 1500pF @10VVds

下降时间 65 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RSD221N06TL引脚图与封装图

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