RAL045P01TCR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 4200pF @6VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 150 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TUMT-6
长度 2 mm
宽度 1.7 mm
高度 0.77 mm
封装 TUMT-6
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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