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RAL035P01TCR

RAL035P01TCR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V

表面贴装型 P 通道 12 V 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6


得捷:
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6


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RAL035P01TCR


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MOSFET Trans MOSFET P-CH 12V 3.5A


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Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A 6-Pin TUMT T/R


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Trans MOSFET P-CH 12V ±3.5A 6-Pin TUMT T/R


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Trans MOSFET P-CH Si 12V 3.5A Automotive 6-Pin TUMT T/R


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MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6


RAL035P01TCR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 6

漏源极电阻 30 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 3.5A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2700pF @6VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 75 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RAL035P01TCR引脚图与封装图
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在线购买RAL035P01TCR
型号 制造商 描述 购买
RAL035P01TCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.03 ohm, -4.5 V, -1 V 搜索库存