RQ1E100XNTR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RQ1E100XNTR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 550mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 33 ns
输入电容Ciss 1000pF @10VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 550mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
外形尺寸
封装 TSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ1E100XNTR引脚图与封装图
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