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RSJ250P10TL

RSJ250P10TL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

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ROHM RSJ250P10 系列 Si P沟道 MOSFET RSJ250P10TL, 25 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


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RSJ250P10TL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 45 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 25A

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 8000pF @25VVds

下降时间 180 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 9 mm

高度 4.5 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

RSJ250P10TL引脚图与封装图
RSJ250P10TL引脚图

RSJ250P10TL引脚图

RSJ250P10TL封装图

RSJ250P10TL封装图

RSJ250P10TL封装焊盘图

RSJ250P10TL封装焊盘图

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