RCJ200N20TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RCJ200N20TL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 1.56 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta, 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RCJ200N20TL引脚图与封装图 
RCJ200N20TL引脚图
RCJ200N20TL封装图
RCJ200N20TL封装焊盘图
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