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RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F

P 通道 MOSFET ,ROHM

### MOSFET 晶体管,


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F


欧时:
ROHM RU1C002ZP 系列 P沟道 MOSFET RU1C002ZPTCL, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323FL封装


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RU1C002ZPTCL


贸泽:
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch


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晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 0.8 ohm, -4.5 V, -1 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R


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Trans MOSFET P-CH 20V ±0.2A 3-Pin SOT-323FL T/R


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Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R


RU1C002ZPTCL中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.8 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 115pF @10VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RU1C002ZPTCL引脚图与封装图
RU1C002ZPTCL引脚图

RU1C002ZPTCL引脚图

RU1C002ZPTCL封装图

RU1C002ZPTCL封装图

RU1C002ZPTCL封装焊盘图

RU1C002ZPTCL封装焊盘图

在线购买RU1C002ZPTCL
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