RU1C002ZPTCL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 115pF @10VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RU1C002ZPTCL引脚图
RU1C002ZPTCL封装图
RU1C002ZPTCL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RU1C002ZPTCL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RU1C002ZP 系列 20 V 200 mA 1.2 Ohm 硅 表面贴装 P-沟道 Mosfet - UMT-3F | 搜索库存 |