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RCX450N20
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 200V 45A Tc 2.23W Ta, 40W Tc Through Hole TO-220FM


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MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM


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N沟道 200V 45A


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Trans MOSFET N-CH Si 200V 45A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


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MOSFET N-CH 200V 45A TO220


RCX450N20中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N

耗散功率 40 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 45A

上升时间 210 ns

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.23W Ta, 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RCX450N20引脚图与封装图
RCX450N20引脚图

RCX450N20引脚图

RCX450N20封装图

RCX450N20封装图

RCX450N20封装焊盘图

RCX450N20封装焊盘图

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