R5011ANX

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 500V 11A Ta 50W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A TO220FM

贸泽:
MOSFET Silicon N-channel MOSFET, 10V Drive, N-Channel, Contains G-S protection diode, Low on-resistance, Fast switching, Wide SOA

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

R5011ANX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 380 mΩ

耗散功率 59 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 1000pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

R5011ANX引脚图与封装图

R5011ANX引脚图

R5011ANX封装图

R5011ANX封装焊盘图

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