R6004ENJTL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体晶体管

ROHM R6004ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新

N-Channel 600V 4A Tc 40W Tc Surface Mount LPTS

得捷:
MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin2+Tab LPTS T/R

Newark:
# ROHM R6004ENJTL MOSFET, N-CH, 600V, 4A, TO-263 New

R6004ENJTL中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 58 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 22 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

R6004ENJTL引脚图与封装图

R6004ENJTL引脚图

R6004ENJTL封装图

R6004ENJTL封装焊盘图

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