R6020ANZC8
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6020ANZC8中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 120 W
阈值电压 2.95 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6020ANZC8引脚图与封装图 
R6020ANZC8引脚图
R6020ANZC8封装图
R6020ANZC8封装焊盘图
在线购买R6020ANZC8
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6020ANZC8 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TO-3pF N-CH 600V 20A | 搜索库存 |