R5007FNX

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 500V 7A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 500V 7A TO220FM

贸泽:
MOSFET Nch 500V 7A Power MOSFET

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 V, 7 A, 1 ohm, TO-220FM, 通孔

R5007FNX中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 43 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 450pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

R5007FNX引脚图与封装图

R5007FNX引脚图

R5007FNX封装图

R5007FNX封装焊盘图

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R5007FNX	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 500 V, 1 ohm, 10 V, 4 V	搜索库存