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R6024ENX
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM  R6024ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新

N-Channel 600V 24A Tc 40W Tc Through Hole TO-220FM


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MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM


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MOSFET 10V Drive Nch MOSFET


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Trans MOSFET N-CH 600V ±24A 3-Pin TO-220FM Bulk


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Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


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Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


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R6024ENX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.15 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 74 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 24A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1650pF @25VVds

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

R6024ENX引脚图与封装图
R6024ENX引脚图

R6024ENX引脚图

R6024ENX封装图

R6024ENX封装图

R6024ENX封装焊盘图

R6024ENX封装焊盘图

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R6024ENX ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  R6024ENX  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V 新 搜索库存