RCX080N25

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 250V 8A Tc 2.23W Ta, 35W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 250V 8A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

RCX080N25中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 0.46 Ω

极性 N

耗散功率 2.23W Ta, 35W Tc

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 8A

上升时间 28 ns

输入电容Ciss 840pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.23W Ta, 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RCX080N25引脚图与封装图

RCX080N25引脚图

RCX080N25封装图

RCX080N25封装焊盘图

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