RCJ330N25TL
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
极性 N-CH
耗散功率 1.56 W
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 200 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 40 W
下降时间 140 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.2 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RCJ330N25TL引脚图
RCJ330N25TL封装图
RCJ330N25TL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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