RSH070P05GZETB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSH070P05GZETB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 19 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 45 V
漏源击穿电压 45 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 4100pF @10VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
外形尺寸
封装 SOP-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSH070P05GZETB引脚图与封装图 
RSH070P05GZETB引脚图
RSH070P05GZETB封装图
RSH070P05GZETB封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSH070P05GZETB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -7 A, -45 V, 0.019 ohm, -10 V, -2.5 V | 搜索库存 |