R6004ENDTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
晶体管
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.9 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 58 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.7 mm
宽度 5.8 mm
高度 2.5 mm
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
R6004ENDTL引脚图
R6004ENDTL封装图
R6004ENDTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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R6004ENDTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM R6004ENDTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |