RSD046P05TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD046P05TL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 110 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 15 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 45 V
漏源击穿电压 45 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 550pF @10VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSD046P05TL引脚图与封装图 
RSD046P05TL引脚图
RSD046P05TL封装图
RSD046P05TL封装焊盘图
在线购买RSD046P05TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSD046P05TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |
替代型号RSD046P05TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSD046P05TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-63-3 P-Channel | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V | 当前型号 |
| 型号： RD3H045SPTL1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 类似代替 | 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.5 A, -45 V, 0.11 ohm, -10 V, -3 V | RSD046P05TL和RD3H045SPTL1的区别 |