RSD200N05TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSD200N05TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 45 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 950pF @10VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
RSD200N05TL引脚图与封装图 
RSD200N05TL引脚图
RSD200N05TL封装图
RSD200N05TL封装焊盘图
在线购买RSD200N05TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSD200N05TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号RSD200N05TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSD200N05TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-252-3 N-Channel 45V 20A | 当前型号 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： RD3H200SNTL1 品牌： 罗姆半导体 封装： | 完全替代 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 45 V, 0.02 ohm, 10 V, 2.5 V | RSD200N05TL和RD3H200SNTL1的区别 |