RQ1E050RPTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V

表面贴装型 P 通道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8

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MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8

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RQ1E050RPTR

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RQ1E050RPTR中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.022 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1300pF @10VVds

额定功率Max 1.5 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSMT-8

外形尺寸

封装 TSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RQ1E050RPTR引脚图与封装图

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RQ1E050RPTR	ROHM Semiconductor 罗姆半导体	晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V	搜索库存