RS1E240BNTB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0023 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 30 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 3900pF @15VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 30W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
封装 HSOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RS1E240BNTB引脚图
RS1E240BNTB封装图
RS1E240BNTB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RS1E240BNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |