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RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 24A Ta 3W Ta, 30W Tc Surface Mount 8-HSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 40 A, 0.0023 ohm, HSOP, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R


RS1E240BNTB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.0023 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 3900pF @15VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RS1E240BNTB引脚图与封装图
RS1E240BNTB引脚图

RS1E240BNTB引脚图

RS1E240BNTB封装图

RS1E240BNTB封装图

RS1E240BNTB封装焊盘图

RS1E240BNTB封装焊盘图

在线购买RS1E240BNTB
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RS1E240BNTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存