RS1E280BNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体分立器件

HSOP N-CH 30V 28A

N-Channel 30V 28A Ta 3W Ta, 30W Tc Surface Mount 8-HSOP

得捷:
MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin HSOP EP T/R

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MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

RS1E280BNTB中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 30 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 28A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 5100pF @15VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

RS1E280BNTB引脚图与封装图

RS1E280BNTB引脚图

RS1E280BNTB封装图

RS1E280BNTB封装焊盘图

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