RSR025P03TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RSR025P03TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 460pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RSR025P03TL引脚图与封装图 
RSR025P03TL引脚图
RSR025P03TL封装图
RSR025P03TL封装焊盘图
在线购买RSR025P03TL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RSR025P03TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RSR025P03TL 编带 | 搜索库存 |
替代型号RSR025P03TL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RSR025P03TL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-236-3 P-Channel 30V 2.5A 115mΩ | 当前型号 | RSR025P03TL 编带 | 当前型号 |
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| 型号： SI2307CDS-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-236-3 | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 2.7A 3Pin SOT-23 T/R | RSR025P03TL和SI2307CDS-T1-E3的区别 |