RQ5H020SPTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.13 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 45 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 500pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 540mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-346
长度 3 mm
宽度 1.8 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-346
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
RQ5H020SPTL引脚图
RQ5H020SPTL封装图
RQ5H020SPTL封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RQ5H020SPTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RQ5H020SPTL 晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -45 V, 0.13 ohm, -10 V, -3 V | 搜索库存 |