RTF010P02TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTF010P02TL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.00 A
漏源极电阻 570 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 150pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TUMT-3
外形尺寸
封装 TUMT-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RTF010P02TL引脚图与封装图 
RTF010P02TL引脚图
RTF010P02TL封装图
RTF010P02TL封装焊盘图
在线购买RTF010P02TL
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