RHU003N03T106
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RHU003N03T106中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 3.00 A
漏源极电阻 1.40 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 20pF @10VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 40 ns
耗散功率Max 200mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RHU003N03T106引脚图与封装图 
RHU003N03T106引脚图
RHU003N03T106封装图
RHU003N03T106封装焊盘图
在线购买RHU003N03T106
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RHU003N03T106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | UMT N-CH 30V 0.3A | 搜索库存 |
替代型号RHU003N03T106
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RHU003N03T106 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 30V 300mA 1.4Ω | 当前型号 | UMT N-CH 30V 0.3A | 当前型号 |
| 型号： RJU003N03T106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 30V 300mA 1.4Ω | 功能相似 | ROHM RJU003N03T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 30 V, 1.1 ohm, 4.5 V, 1.5 V | RHU003N03T106和RJU003N03T106的区别 |