RQ3G100GNTB
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 8
漏源极电阻 0.011 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 4.2 ns
输入电容Ciss 615pF @20VVds
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
封装 HSMT-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RQ3G100GNTB引脚图
RQ3G100GNTB封装图
RQ3G100GNTB封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RQ3G100GNTB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RQ3G100GNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |