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RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM   RQ3G100GNTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET


立创商城:
RQ3G100GNTB


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MOSFET N-CH 40V 10A 8HSMT


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晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V


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Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin HSMT EP T/R


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Trans MOSFET N-CH 40V ±10A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel


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# ROHM  RQ3G100GNTB  MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT


RQ3G100GNTB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.011 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 4.2 ns

输入电容Ciss 615pF @20VVds

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSMT-8

外形尺寸

封装 HSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

RQ3G100GNTB引脚图与封装图
RQ3G100GNTB引脚图

RQ3G100GNTB引脚图

RQ3G100GNTB封装图

RQ3G100GNTB封装图

RQ3G100GNTB封装焊盘图

RQ3G100GNTB封装焊盘图

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RQ3G100GNTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM   RQ3G100GNTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.011 ohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存