RT1E050RPTR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RT1E050RPTR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 26 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1300pF @10VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RT1E050RPTR引脚图与封装图 
RT1E050RPTR引脚图
RT1E050RPTR封装图
RT1E050RPTR封装焊盘图
在线购买RT1E050RPTR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RT1E050RPTR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | TSST P-CH 30V 5A | 搜索库存 |
替代型号RT1E050RPTR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RT1E050RPTR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSST-8 P-CH 30V 5A | 当前型号 | TSST P-CH 30V 5A | 当前型号 |
| 型号： RRQ045P03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT P-CH 30V 4.5A | 功能相似 | P-沟道 30 V 35 mOhm 1.25 W 表面贴装 Mosfet - T表面贴装-6 | RT1E050RPTR和RRQ045P03TR的区别 |