RW1E015RPT2R
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RW1E015RPT2R中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 400mW Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 400 mW
下降时间 13 ns
耗散功率Max 400mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RW1E015RPT2R引脚图与封装图 
RW1E015RPT2R引脚图
RW1E015RPT2R封装图
RW1E015RPT2R封装焊盘图
在线购买RW1E015RPT2R
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RW1E015RPT2R | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | WEMT P-CH 30V 1.5A | 搜索库存 |
替代型号RW1E015RPT2R
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RW1E015RPT2R 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： WEMT P-CH 30V 1.5A | 当前型号 | WEMT P-CH 30V 1.5A | 当前型号 |
| 型号： RRR015P03TL 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3Pin TSMT T/R | RW1E015RPT2R和RRR015P03TL的区别 |