
针脚数 3
漏源极电阻 1.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.15 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 50 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723
长度 1.2 mm
宽度 0.8 mm
高度 0.5 mm
封装 SOT-723
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free

RUM002N05T2L引脚图

RUM002N05T2L封装图

RUM002N05T2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RUM002N05T2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM ### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RUM002N05T2L 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: VMT N-Channel 50V 0.2A | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | 当前型号 | |
型号: RUE002N05TL 品牌: 罗姆半导体 封装: EMT N-CH 50V 0.2A | 功能相似 | EMT N-CH 50V 0.2A | RUM002N05T2L和RUE002N05TL的区别 | |
型号: RUC002N05T116 品牌: 罗姆半导体 封装: SST N-CH 50V 0.2A | 功能相似 | N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM### MOSFET 晶体管,ROHM Semiconductor | RUM002N05T2L和RUC002N05T116的区别 | |
型号: RUU002N05T106 品牌: 罗姆半导体 封装: SC-70 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3Pin UMT T/R | RUM002N05T2L和RUU002N05T106的区别 |