RTM002P02T2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTM002P02T2L中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -200 mA
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 200 mA
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 50pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-723-3
外形尺寸
宽度 0.8 mm
封装 SOT-723-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
RTM002P02T2L引脚图与封装图 
RTM002P02T2L引脚图
RTM002P02T2L封装图
RTM002P02T2L封装焊盘图
在线购买RTM002P02T2L
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTM002P02T2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RTM002P02T2L 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV | 搜索库存 |
替代型号RTM002P02T2L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RTM002P02T2L 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VMT3 P-Channel 20V 200mA 2Ω | 当前型号 | ROHM RTM002P02T2L 晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV | 当前型号 |
| 型号： RZM002P02T2L 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-723 | 类似代替 | P 沟道 150 mW 20 V 1.2 Ohm 1.2V 驱动 P 沟道 Mosfet 表面贴装 - VMT-3 | RTM002P02T2L和RZM002P02T2L的区别 |
| 型号： RZM002P02 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | RZM002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 0.8ohm SOT-723 marking/标记 YK 高速开关 1.2V超低电压驱动 | RTM002P02T2L和RZM002P02的区别 |