RU1C001UNTCL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RU1C001UNTCL中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 2.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 mW
阈值电压 300 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 7.1pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 38 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RU1C001UNTCL引脚图与封装图 
RU1C001UNTCL引脚图
RU1C001UNTCL封装图
RU1C001UNTCL封装焊盘图
在线购买RU1C001UNTCL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RU1C001UNTCL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM ### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号RU1C001UNTCL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RU1C001UNTCL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SC-85 N-Channel 20V 0.1A | 当前型号 | N 通道 MOSFET 晶体管，ROHM### MOSFET 晶体管，ROHM Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： 2SK3018T106 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-323 N-Channel 30V 100mA 7ohms | 功能相似 | ROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V | RU1C001UNTCL和2SK3018T106的区别 |