RV2C010UNT2L
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 400 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 40pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 400mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VML-1006
封装 VML-1006
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
香港进出口证 NLR
RV2C010UNT2L引脚图
RV2C010UNT2L封装图
RV2C010UNT2L封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RV2C010UNT2L | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM RV2C010UNT2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V | 搜索库存 |