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RV2C010UNT2L

RV2C010UNT2L

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

ROHM   RV2C010UNT2L  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V

N-Channel 20V 1A Ta 400mW Ta Surface Mount DFN1006-3 VML1006


得捷:
MOSFET N-CH 20V 1A DFN1006-3


立创商城:
N沟道 20V 1A


贸泽:
MOSFET 20V 1A Nch Power MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin VML T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V ±1A 3-Pin DFN1006 Embossed Tape and Reel


Newark:
# ROHM  RV2C010UNT2L  MOSFET Transistor, N Channel, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006


RV2C010UNT2L中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 400 mW

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

连续漏极电流Ids 1A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 40pF @10VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 VML-1006

外形尺寸

封装 VML-1006

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

香港进出口证 NLR

RV2C010UNT2L引脚图与封装图
RV2C010UNT2L引脚图

RV2C010UNT2L引脚图

RV2C010UNT2L封装图

RV2C010UNT2L封装图

RV2C010UNT2L封装焊盘图

RV2C010UNT2L封装焊盘图

在线购买RV2C010UNT2L
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RV2C010UNT2L ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM   RV2C010UNT2L  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 20 V, 0.34 ohm, 4.5 V, 1 V 搜索库存