R6046ANZ1C9
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Bulk
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
R6046ANZ1C9引脚图
R6046ANZ1C9封装图
R6046ANZ1C9封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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R6046ANZ1C9 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |