R6030ENZ1C9
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
晶体管
R6030ENZ1C9中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.115 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 2100pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6030ENZ1C9引脚图与封装图 
R6030ENZ1C9引脚图
R6030ENZ1C9封装图
R6030ENZ1C9封装焊盘图
在线购买R6030ENZ1C9
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6030ENZ1C9 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | ROHM R6030ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新 | 搜索库存 |