R6076ENZ1C9
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 170 ns
输入电容Ciss 6500pF @25VVds
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 120W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
R6076ENZ1C9引脚图
R6076ENZ1C9封装图
R6076ENZ1C9封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.038 ohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |